古芳娜
,
杨佳园
,
魏峰
,
朱建华
催化学报
doi:10.3724/SP.J.1088.2010.90916
针对高空速下捕获痕量毒物分子的环境净化要求,尝试调控介孔材料孔壁结构以提高其吸附小分子环境污染物的效率.通过调节合成体系的pH值、加入无机盐以及控制表面活性剂浓度等方法,改变硅物种与模板剂胶束的组装速度或无机-有机液晶相的存在形态,研制含有孔壁缺陷位的介孔分子筛新材料.通过X射线衍射和低温氮气吸附研究了样品的结构特性,并采用高分辨透射电镜和固体核磁技术证实了介孔材料孔壁缺陷位的形成.以挥发性吡咯烷亚硝胺为靶标分子,考察了所得材料的吸附性能.结果表明,大量缺陷空位的存在成倍地提高了介孔分子筛吸附挥发性亚硝胺的效率,为设计研制环保新材料提供了新思路.
关键词:
MCM-41介孔分子筛
,
孔壁结构
,
缺陷位
,
亚硝胺
,
吸附
王鸿翔
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应鹏展
,
张钦祥
,
颜艳明
,
崔教林
人工晶体学报
GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25％ Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的～5.04 ×1023m-3突增到9.50×1025 m-3;在867 K时,电导率由0.56×104 Ω-1·m-1增加到4.82×104 Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63 W· K-1·m-1下降到3.41 W· K-1·m-1.最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍.
关键词:
热电材料
,
GaSb基半导体
,
结构缺陷
,
声电输运特性
